D2H025DB1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應(yīng)用的理想選擇。
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
| 產(chǎn)品尺寸 | 685*1035 | mm |
| 應(yīng)用電壓 | 48 | V |
| 典型功率 | 25 | W |
| 效率 | 82 | % |
| 增益 | 22.7 | dB |
效率和增益指標(biāo)為對應(yīng)2.6GHz測試頻點、最大效率點下的仿真數(shù)據(jù)
仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 74 mA, 頻率 = 2.6 GHz
D2H025DA1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應(yīng)用的理想選擇。
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
| 產(chǎn)品尺寸 | 645*825 | mm |
| 應(yīng)用電壓 | 48 | V |
| 典型功率 | 25 | W |
| 效率 | 82 | % |
| 增益 | 21.9 | dB |
效率和增益指標(biāo)為對應(yīng)2.6GHz測試頻點、最大效率點下的仿真數(shù)據(jù)
仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 76 mA, 頻率 = 2.6 GHz
D2H014DA1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應(yīng)用的理想選擇。
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
| 產(chǎn)品尺寸 | 695*568 | mm |
| 應(yīng)用電壓 | 48 | V |
| 典型功率 | 14 | W |
| 效率 | 83 | % |
| 增益 | 22.9 | Db |
效率和增益指標(biāo)為對應(yīng)2.6GHz測試頻點、最大效率點下的仿真數(shù)據(jù)
仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 42 mA, 頻率 = 2.6 GHz
D2H010DA1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應(yīng)用的理想選擇。
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
| 產(chǎn)品尺寸 | 685*570 | mm |
| 應(yīng)用電壓 | 48 | V |
| 典型功率 | 10 | W |
| 效率 | 83 | % |
| 增益 | 23.7 | Db |
效率和增益指標(biāo)為對應(yīng)2.6GHz測試頻點、最大效率點下的仿真數(shù)據(jù)
仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 30 mA, 頻率 = 2.6 GHz
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